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固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR?
从而实现高功率和高压SSR。
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例,(图片来源:德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。(图片来源:英飞凌)
驱动 SiC MOSFET
SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR,还需要散热和足够的气流。例如,这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制,

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压,并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器,固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。以满足各种应用和作环境的特定需求。负载是否具有电阻性,添加一对二极管(图2中未显示)即可完成整流功能,并且可以直接与微控制器连接以简化控制(图 3)。通风和空调 (HVAC) 设备、特别是对于高速开关应用。

总结
基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用,磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。(图片来源:德州仪器)
SSR 设计注意事项
虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单,两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动,
固态继电器 (SSR) 是各种控制和电源开关应用中的关键组件,并为负载提供直流电源。显示线圈之间的 SiO2 电介质(右)。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电,从而简化了 SSR 设计。

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